[发明专利]一种局部凹槽结构的AlGaN/GaN HEMT器件在审
| 申请号： | 201910910442.2 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110707154A | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 刘静;王琳倩;黄忠孝 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/207;H01L29/06 |
| 代理公司： | 61214 西安弘理专利事务所 | 代理人： | 涂秀清 |
| 地址： | 710048 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 势垒层 钝化层 凹槽结构 缓冲层 上表面 漏极 源极 电流变化量 电流崩塌 局部凹槽 依次设置 衬底 减小 | ||
1.一种局部凹槽结构的AlGaN/GaN HEMT器件，其特征在于，包括自下而上依次设置的衬底(1)、缓冲层(2)、势垒层(3)和钝化层(4)，所述势垒层(3)上表面且位于所述钝化层(4)左右两端分别设置有源极(6)和漏极(7)，所述势垒层(3)上表面且位于所述钝化层(4)中部设置有栅极(5)；所述势垒层(3)上且位于所述栅极(5)和所述漏极(7)之间设置有凹槽结构(8)。
2.根据权利要求1所述的一种局部凹槽结构的AlGaN/GaN HEMT器件，其特征在于，所述缓冲层(2)由厚度为2μm的GaN组成，摻杂浓度为1×1015cm-3。
3.根据权利要求1所述的一种局部凹槽结构的AlGaN/GaN HEMT器件，其特征在于，所述势垒层(3)由厚度为0.02μm的AlGaN组成，摻杂浓度为1×1017cm-3。
4.根据权利要求1所述的一种局部凹槽结构的AlGaN/GaN HEMT器件，其特征在于，所述钝化层(4)由厚度为0.05μm的Si3N4组成。
5.根据权利要求1所述的一种局部凹槽结构的AlGaN/GaN HEMT器件，其特征在于，所述栅极(5)、源极(6)及漏极(7)的长度均为0.5μm。
6.根据权利要求5所述的一种局部凹槽结构的AlGaN/GaN HEMT器件，其特征在于，所述栅极(5)和源极(6)之间的栅源距离为1.0μm，所述栅极(5)和漏极(7)之间的栅漏距离为2.0μm。
7.根据权利要求1所述的一种局部凹槽结构的AlGaN/GaN HEMT器件，其特征在于，所述凹槽结构(8)由厚度为50nm的Si3N4组成，长度L为1.0μm，高度H为0.010μm。
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