[发明专利]一种LED外延结构生长方法有效
| 申请号： | 201910907733.6 | 申请日： | 2019-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN110629197B | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 徐平;胡耀武;王杰;黄胜蓝 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/30;H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214 | 代理人： | 张勇;刘伊旸 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种LED外延结构生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却，其中生长多量子阱层依次包括生长高温InGaN阱层、生长低温GaN垒层、生长高Al组分渐变AlN层、生长Si掺杂低温InGaN阱层、生长高温GaN垒层、生长低Al组分渐变AlN层的步骤。本发明方法解决现有LED外延生长方法中存在的量子阱生长质量不高及量子阱辐射复合效率低下的问题，从而提高LED的发光效率，并减少外延片翘曲，降低LED的正向电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 结构 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种LED外延结构生长方法，其特征在于，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却；其中生长多量子阱层依次包括：生长高温InGaN阱层、生长低温GaN垒层、生长高Al组分渐变AlN层、生长Si掺杂低温InGaN阱层、生长高温GaN垒层、生长低Al组分渐变AlN层，具体为：/nA、将反应腔压力控制在200-280mbar，反应腔温度控制在900-950℃，通入流量为20000-30000sccm的NH
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
