[发明专利]测试掩模版及其形成方法、测试掩模版的形成装置有效
| 申请号： | 201910898773.9 | 申请日： | 2019-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN110579937B | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 姚军;张雷 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36;G03F1/44 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳;陈丽丽 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种测试掩模版及其形成方法、测试掩模版的形成装置。所述测试掩模版的形成方法包括如下步骤：形成具有多个测试图形的初始版图，相邻测试图形之间具有第一间隙；获取对应的产品掩模版中的图形密度分布；添加若干冗余图形至所述初始版图的所述第一间隙中，形成版图，所述版图中的图形密度分布与所述产品掩模版中的图形密度分布的差值在一预设范围内；根据所述版图生成测试掩模版。本发明减少甚至是消除了测试掩模版在制备过程中由刻蚀负载效应对其不同位置关键尺寸产生的不利影响，提高了测试掩模版的图形尺寸精度。用本发明生产的测试掩模版建立OPC修正模型，提高了模型精度以及对应产品掩模版的修正效果，改善了光刻质量。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 模版 及其 形成 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种测试掩模版的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：/n形成具有多个测试图形的初始版图，相邻测试图形之间具有第一间隙；/n获取对应的产品掩模版中的图形密度分布；/n添加若干冗余图形至所述初始版图的所述第一间隙中，形成版图，所述版图中的图形密度分布与所述产品掩模版中的图形密度分布的差值在一预设范围内；/n根据所述版图生成测试掩模版。/n
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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