[发明专利]测试掩模版及其形成方法、测试掩模版的形成装置

说明书

本发明涉及一种测试掩模版及其形成方法、测试掩模版的形成装置。所述测试掩模版的形成方法包括如下步骤：形成具有多个测试图形的初始版图，相邻测试图形之间具有第一间隙；获取对应的产品掩模版中的图形密度分布；添加若干冗余图形至所述初始版图的所述第一间隙中，形成版图，所述版图中的图形密度分布与所述产品掩模版中的图形密度分布的差值在一预设范围内；根据所述版图生成测试掩模版。本发明减少甚至是消除了测试掩模版在制备过程中由刻蚀负载效应对其不同位置关键尺寸产生的不利影响，提高了测试掩模版的图形尺寸精度。用本发明生产的测试掩模版建立OPC修正模型，提高了模型精度以及对应产品掩模版的修正效果，改善了光刻质量。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种测试掩模版及其形成方法、测试掩模版的形成装置。

背景技术

在半导体制程过程中，由于紫外光的衍射效应，在将掩模版上的图形投射到晶圆上时，于晶圆表面形成的图案经常会发生畸变，导致最终成像质量降低，这种现象称之为光学邻近效应(Optical Proximity Effect，OPE)。对掩模版上的图形做适当修改以补偿光学邻近效应造成的缺陷，从而在晶圆表面得到和原始的掩模版设计相同的图案，称之为光学邻近修正(Optical Proximity Correction，OPC)。但是，现有OPC修正效果与测试掩模版的质量信息息息相关，测试掩模版的图形分布与尺寸精度较大的影响了OPC模型的精度以及最终产品光刻的质量。

因此，如何提高测试掩模版上的图形尺寸精度，进而提高OPC模型的精度，最终实现对光刻质量的改善，是目前亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明提供一种测试掩模版及其形成方法、测试掩模版的形成装置，用于解决现有的测试掩模版上图形尺寸精度较低的问题，以提高OPC修正效果，改善光刻质量。

为了解决上述问题，本发明提供了一种测试掩模版的形成方法，包括如下步骤：

形成具有多个测试图形的初始版图，相邻测试图形之间具有第一间隙；

获取对应的产品掩模版中的图形密度分布；

添加若干冗余图形至所述初始版图的所述第一间隙中，形成版图，所述版图中的图形密度分布与所述产品掩模版中的图形密度分布的差值在一预设范围内；

根据所述版图生成测试掩模版。

可选的，形成所述初始版图之前还包括如下步骤：

提供多种不同类型的基础图形，任意两种类型的所述基础图形的形状和/或尺寸不同；

形成多种不同类型的测试图形，每种类型的所述测试图形由至少两种类型的基础图形排布形成，任意两种类型的所述测试图形中的基础图形种类和/或排布方式不同。

可选的，形成具有多个测试图形的初始版图的具体步骤包括：

选择至少两种类型的测试图形排布形成所述初始版图。

可选的，形成所述版图的具体步骤包括：

获取所述初始版图中的图形密度分布；

添加多个冗余图形至所述初始版图的所述第一间隙中，所述冗余图形的尺寸和/或相邻所述冗余图形之间的间隔宽度均根据所述产品掩模版的图形密度分布和所述初始版图中的图形密度分布确定。

可选的，每一所述测试图形内部的相邻两个所述基础图形之间具有第二空隙；形成所述版图的步骤还包括：

添加多个冗余图形至所述初始版图的所述第二间隙中。

可选的，所述第一间隙和所述第二间隙内填充的多个所述冗余图形均呈阵列排布。

可选的，所述冗余图形为矩形。