[发明专利]集成电路装置及其形成方法在审
| 申请号： | 201910880405.1 | 申请日： | 2019-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN110911493A | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 刘筱函;李禾培;江忠祐;陈柏年;林志勇 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L23/64 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供包括具有电容的集成电路装置及其形成方法。在一些范例中，集成电路装置包括基板与设置于基板上的沟槽隔离材料。隔离结构设置于沟槽隔离材料上。第一电极设置于隔离结构上，且第二电极设置于隔离结构上。电容介电质设置于介于第一电极与电二电极间的隔离结构上。在这些范例中，隔离结构包括设置于沟槽隔离材料上的第一硬遮罩、设置于第一硬遮罩上的介电质以及设置于介电质上的第二硬遮罩。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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