[发明专利]光掩模及其形成方法在审
| 申请号： | 201910878140.1 | 申请日： | 2019-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN110928138A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 王宣文;张浩铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/86 | 分类号： | G03F1/86;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 龚诗靖 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例涉及光掩模及其形成方法。一种用于形成光掩模的方法包含：接受掩模衬底，其包含形成于其上的保护层及屏蔽层；移除所述屏蔽层的部分以形成图案化屏蔽层；及提供BSE检测器以监测所述屏蔽层的所述部分的所述移除。当从所述BSE检测器获得的BSE强度的差异大于约30％时，停止所述屏蔽层的所述部分的所述移除。所述BSE强度在后续的蚀刻回路中变得稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 光掩模 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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- 2019-09-17 - 2020-03-27 - G03F1/86
- 本发明实施例涉及光掩模及其形成方法。一种用于形成光掩模的方法包含：接受掩模衬底，其包含形成于其上的保护层及屏蔽层；移除所述屏蔽层的部分以形成图案化屏蔽层；及提供BSE检测器以监测所述屏蔽层的所述部分的所述移除。当从所述BSE检测器获得的BSE强度的差异大于约30％时，停止所述屏蔽层的所述部分的所述移除。所述BSE强度在后续的蚀刻回路中变得稳定。
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
