[发明专利]一种反向导通场截止型IGBT及其制作方法无效
| 申请号： | 201910859652.3 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN110473913A | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 徐守一;陈广乐;蔡铭进 | 申请（专利权）人： | 厦门芯达茂微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/331;H01L29/739 |
| 代理公司： | 35234 厦门加减专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 王春霞<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 361006 福建省厦门市火炬高新区火炬园*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种反向导通场截止型IGBT，包括衬底；衬底为P型衬底；P型衬底的背面设有集电极；P型衬底的正面设有电场终止层；电场终止层背离P型衬底的一面设有漂移区；漂移区内设有P型的场限环，场限环设有多个；场限环上设有场氧化层和氧化物介质层；P型衬底的正面还设有P阱，P阱内设有N型的发射极；氧化物介质层上覆盖设有钝化层。本发明提供的反向导通场截止型IGBT，通过调整制程和增加载流子寿命控制技术，使得反向导通场截止型IGBT具有高开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 反向导通 场限环 截止型 氧化物介质层 电场 终止层 漂移 载流子寿命 场氧化层 钝化层 发射极 集电极 漂移区 制程 背面 背离 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种反向导通场截止型IGBT，其特征在于：包括衬底；所述衬底为P型衬底(10)；所述P型衬底(10)的背面设有集电极(20)；所述P型衬底(10)的正面设有电场终止层(30)；所述电场终止层(30)背离所述P型衬底(10)的一面设有漂移区(40)；所述漂移区(40)内设有P型的场限环(50)，所述场限环(50)设有多个；所述场限环(50)上设有场氧化层(60)和氧化物介质层(70)；/n所述P型衬底(10)的正面还设有P阱(80)，所述P阱(80)内设有N型的发射极(81)；所述氧化物介质层(70)上覆盖设有钝化层(90)。/n
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