[发明专利]一种快速获得碳化硅陶瓷晶粒信息的样品制备及其分析与测定方法在审
| 申请号： | 201910849849.9 | 申请日： | 2019-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN110567998A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 刘紫微;姚秀敏;梁汉琴;张积梅;林初城;姜彩芬;郑维;曾毅 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | G01N23/2202 | 分类号： | G01N23/2202;G01N23/2206;G01N23/2208;G01N23/2251 |
| 代理公司： | 31261 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种快速获得碳化硅陶瓷晶粒信息的样品制备及其分析与测定方法，具体涉及一种利用离子束截面抛光技术制备扫描电子显微镜观察的碳化硅陶瓷截面样品的方法，包括：将碳化硅陶瓷进行离子束截面抛光，得到所述碳化硅陶瓷截面样品；所述离子束截面抛光的参数包括：离子束加速电压为5～8 kV；样品抛光时间为120～300分钟；电流为1.5～3 mA。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅陶瓷 离子束 抛光 截面样品 扫描电子显微镜观察 加速电压 抛光技术 样品制备 晶粒 制备 分析 | ||
【主权项】：
1.一种利用离子束截面抛光技术制备扫描电子显微镜观察的碳化硅陶瓷截面样品的方法，其特征在于，将碳化硅陶瓷进行离子束截面抛光，得到所述碳化硅陶瓷截面样品；所述离子束截面抛光的参数包括：离子束加速电压为5～8 kV；样品抛光时间为120～300分钟；电流为1.5～3 mA。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所，未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910849849.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
