[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201910831430.0 | 申请日： | 2019-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN111180444A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 孙完基 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L49/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 纪雯 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件，包括：多个下电极，在第一方向和以锐角与所述第一方向相交的第二方向上以第一间距重复地布置在衬底上；以及支撑图案，与所述多个下电极的侧壁接触并支撑所述多个下电极。所述支撑图案包括第一支撑区域和第二支撑区域，所述第一支撑区域具有穿透所述支撑图案的多个开口，且所述第二支撑区域设置在所述第一支撑区域的外围处。多个开口可以分别贯穿整个第一支撑区域以Z字形方式连续延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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