[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

多个下电极，在第一方向和与所述第一方向相交的第二方向上以第一间距重复地布置在衬底上；以及

支撑图案，与所述多个下电极的侧壁接触并支撑所述多个下电极，

其中所述支撑图案包括第一支撑区域和第二支撑区域，所述第一支撑区域具有穿透所述支撑图案的多个开口，且所述第二支撑区域沿着所述第一支撑区域的外围设置，以及

所述多个开口贯穿整个所述第一支撑区域以Z字形方式连续延伸。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个开口以第二间距重复地布置，所述第二间距是所述第一间距的两倍。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个开口与所述第一支撑区域中的所有所述多个下电极的侧壁部分地接触。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个开口弯折的部分与所述多个下电极间隔开。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个开口在与所述第一间距对应的每个长度处弯折。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个开口弯折的角度等于通过从180度减去由所述第一方向和所述第二方向形成的锐角而获得的值。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个开口弯折的角度小于通过从180度减去由所述第一方向和所述第二方向形成的锐角而获得的值。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个开口在所述第一间距的每N倍处弯折，并且N是2或更大的自然数。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个开口包括在所述第一方向上延伸的第一延伸部分和在所述第二方向上延伸的第二延伸部分，并且所述多个下电极中的与所述第一延伸部分接触且在所述第一方向上彼此相邻或者与所述第二延伸部分接触且在所述第二方向上彼此相邻的两个或更多个下电极与所述支撑图案的接触面积彼此相同。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个开口包括在不同方向上延伸的第一延伸部分和第二延伸部分，并且所述多个下电极中的与所述第一延伸部分接触且在所述第一方向上彼此相邻或者与所述第二延伸部分接触且在所述第二方向上彼此相邻的两个或更多个下电极与所述支撑图案的接触面积彼此不同。

11.一种半导体器件，包括：

多个导电柱，在第一方向和以锐角与所述第一方向相交的第二方向上以第一间距重复地布置在衬底上；以及

支撑图案，与所述多个导电柱的侧壁接触并支撑所述多个导电柱，

其中所述支撑图案包括第一支撑区域和第二支撑区域，所述第一支撑区域具有穿透所述支撑图案的多个开口，且所述第二支撑区域沿着所述第一支撑区域的外围设置，以及

所述多个开口分别贯穿整个所述第一支撑区域以Z字形方式连续延伸，并且以第二间距重复地布置，所述第二间距是所述第一间距的两倍。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述多个开口与所述第一支撑区域中的所有所述多个导电柱的侧壁部分地接触。

13.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述多个开口弯折的部分与所述多个导电柱间隔开。

14.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述多个开口在与所述第一间距对应的每个长度处弯折。

15.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述多个开口弯折的角度等于通过从180度减去由所述第一方向和所述第二方向形成的锐角而获得的值。