[发明专利]半导体器件

说明书

一种半导体器件，包括：多个下电极，在第一方向和以锐角与所述第一方向相交的第二方向上以第一间距重复地布置在衬底上；以及支撑图案，与所述多个下电极的侧壁接触并支撑所述多个下电极。所述支撑图案包括第一支撑区域和第二支撑区域，所述第一支撑区域具有穿透所述支撑图案的多个开口，且所述第二支撑区域设置在所述第一支撑区域的外围处。多个开口可以分别贯穿整个第一支撑区域以Z字形方式连续延伸。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年11月12日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2018-0138240的优先权，其全部公开内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明构思涉及一种半导体器件。

背景技术

为了满足对更小和更高性能的电子设备的需求，正在进行用于减小构成诸如动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM)器件之类的半导体器件的元件的尺寸并增强其性能的重要研究。在DRAM中，正在进行用于形成尺寸减小的可靠且稳定的单元电容器的研究。

发明内容

本发明构思的示例实施例提供了一种半导体器件，其中具有高纵横比的导电柱可以形成为在结构上是稳定的。

根据本发明构思的示例实施例，一种半导体器件，包括：多个下电极，在第一方向和以锐角与所述第一方向相交的第二方向上以第一间距重复地布置在衬底上；以及支撑图案，与所述多个下电极的侧壁接触并支撑所述多个下电极。所述支撑图案包括第一支撑区域和第二支撑区域，所述第一支撑区域具有穿透所述支撑图案的多个开口，且所述第二支撑区域沿着所述第一支撑区域的外围设置。所述多个开口可以遍布整个所述第一支撑区域以Z字形方式连续延伸。

根据本发明构思的示例实施例，一种半导体器件，包括：多个导电柱，在第一方向和与所述第一方向相交的第二方向上以第一间距重复地布置在衬底上；以及支撑图案，与所述多个导电柱的侧壁接触并支撑所述多个导电柱。所述支撑图案包括第一支撑区域和第二支撑区域，所述第一支撑区域具有穿透所述支撑图案的多个开口，且所述第二支撑区域沿着所述第一支撑区域的外围设置。所述多个开口可以分别遍布整个所述第一支撑区域以Z字形方式连续延伸，并且可以以第二间距重复地布置，所述第二间距是所述第一间距的两倍。

根据本发明构思的示例实施例，一种半导体器件，包括：多个导电柱，在第一方向和以锐角与所述第一方向相交的第二方向上以第一间距重复地布置在衬底上；以及支撑图案，与所述多个导电柱的侧壁接触并支撑所述多个导电柱。所述支撑图案包括第一支撑区域和第二支撑区域，所述第一支撑区域具有穿透所述支撑图案的多个开口，且所述第二支撑区域沿着所述第一支撑区域的外围设置。所述多个开口可以遍布整个所述第一支撑区域连续延伸，并包括在不同方向上延伸且交替布置的第一延伸部分和第二延伸部分。所述第一延伸部分和所述第二延伸部分彼此交会的部分可以与所述多个导电柱间隔开。

附图说明

根据结合附图的以下详细描述，将更清楚地理解本发明构思的上述和其它方面与特征，在附图中：

图1是示出了根据本发明构思的示例实施例的半导体器件的平面图；

图2是示出了根据本发明构思的示例实施例的半导体器件的导电柱和支撑图案的意向结构的平面图；

图3是由图1的‘B’指示的区域的部分放大视图；

图4是示出了根据本发明构思的示例实施例的半导体器件的部分的截面图；

图5至图9是均示出了根据本发明构思的示例实施例的半导体器件的支撑图案的一个方面的平面图；以及

图10至图18是示出了根据本发明构思的示例实施例的制造半导体器件的方法的截面图。