[发明专利]一种VDMOS器件有效
| 申请号： | 201910831289.4 | 申请日： | 2019-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN110534575B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 任敏;胡玉芳;马怡宁;李泽宏;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种VDMOS器件，属于半导体器件技术领域。在桥式电路等需要二极管续流的应用场景，本发明提供的VDMOS器件，可利用沟道区作为续流通道，不需要再为VDMOS增加外部的反并联二极管，因此可以减小系统体积。同时利用VDMOS的沟道进行续流，对漂移区没有过剩载流子注入，不存在常规VDMOS的体二极管续流的反向恢复问题，不会带来器件漏电增加和高温特性变差等问题，也不会额外增加器件面积且工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 vdmos 器件 | ||
【主权项】：
1.一种VDMOS器件，包括从下至上依次层叠设置的金属化漏电极(1)、第一导电类型半导体高掺杂衬底(2)、第一导电类型半导体掺杂漂移区(3)、隔离介质层(11)和金属化源电极(12)；/n第一导电类型半导体掺杂漂移区(3)中具有沟槽栅结构(8)、第二导电类型半导体体区(4)、第二导电类型半导体高掺杂接触区(5)和第一导电类型高掺杂源区(6)；/n第二导电类型半导体体区(4)位于沟槽栅结构(8)的两侧，第二导电类型半导体高掺杂接触区(5)和第一导电类型高掺杂源区(6)侧面相互接触的位于第二导电类型半导体体区(4)上，且位于沟槽栅结构(8)的两侧；/n隔离介质层(11)位于第一导电类型高掺杂源区(6)的第一部分和沟槽栅结构(8)上；金属化源电极(12)位于第一导电类型高掺杂源区(6)的第二部分和第二导电类型半导体高掺杂接触区(5)上，且其侧面和隔离介质层(11)的侧面接触；/n其特征在于，至少一侧的第二导电类型半导体体区(4)和沟槽栅结构(8)之间具有第一导电类型半导体轻掺杂区(31)，沟槽栅结构(8)的侧面与第一导电类型半导体掺杂漂移区(3)、第一导电类型半导体轻掺杂区(31)和第一导电类型高掺杂源区(6)的一侧面接触，第一导电类型半导体轻掺杂区(31)的另一侧面与第二导电类型半导体体区(4)的一侧面接触，第一导电类型半导体轻掺杂区(31)的底面与第二导电类型半导体体区(4)的底面平齐，且其深度小于沟槽栅结构(8)中栅电极(10)的底面深度；/n栅电极(10)的功函数小于第一导电类型半导体轻掺杂区(31)的功函数，且第一导电类型半导体轻掺杂区(31)的宽度W满足：W小于
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