[发明专利]通过晶格对称性匹配二维材料模板实现金属有机框架表面外延生长的制备方法在审
| 申请号： | 201910830875.7 | 申请日： | 2019-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN110592658A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 孙正宗;胡安琪 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | C30B7/14 | 分类号： | C30B7/14;C30B29/54;C30B25/18;C30B29/02;C30B29/64 |
| 代理公司： | 31200 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 张磊 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种通过晶格对称性匹配二维材料模板实现金属有机框架表面外延生长的制备方法。采用化学气相沉积法，在铜箔上生长出石墨烯，或采用液相剥离法制备石墨烯；以所得的石墨烯为模板，采用溶剂热法，在石墨烯表面外延生长出金属有机框架材料；所述模板基底还可以是其它二维材料（如硫化钼）。要求二维模板材料和二维金属有机框架具有匹配的晶格对称性，符合外延生长的重合位置点阵匹配理论。通过本方法得到的金属有机框架薄膜具有高度的晶面选择性，以及与模板耦合作用强的综合性能。本方法分步控制，操作简单，可根据性能要求更改外延生长模板材料，并可以在不同种类金属有机框架上拓展，可以精确构造符合需求的金属有机框架复合材料。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯 金属有机框架 晶格对称性 表面外延 二维材料 外延生长 有机框架 生长 匹配 金属有机框架材料 化学气相沉积 点阵 二维金属 二维模板 模板材料 模板实现 匹配理论 溶剂热法 性能要求 种类金属 重合位置 综合性能 耦合作用 复合材料 硫化钼 基底 晶面 铜箔 制备 薄膜 剥离 拓展 | ||
【主权项】：
1.一种通过晶格对称性匹配二维材料模板实现金属有机框架表面外延生长的制备方法，其特征在于具体操作步骤如下：/n以电化学抛光的铜箔为生长基底，采用化学气相沉积法，以甲烷和氢气为气源，高温下在铜箔的两面上生长石墨烯单晶或石墨烯薄膜，或者采用液相剥离法，剥离石墨得到石墨烯纳米片，以石墨烯单晶、石墨烯薄膜或石墨烯纳米片为模板，采用溶剂热法，将石墨烯单晶、石墨烯薄膜或石墨烯纳米片模板加入到前驱液中，前驱液中的前驱物在模板表面外延生长出有机金属框架。/n
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