[发明专利]MoTe2和Si复合结构全光太赫兹调制器及其制备方法在审
| 申请号： | 201910826305.0 | 申请日： | 2019-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN110531540A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 王善朋;陶绪堂;乔杰;王子明 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | G02F1/00 | 分类号： | G02F1/00 |
| 代理公司： | 37219 济南金迪知识产权代理有限公司 | 代理人： | 颜洪岭<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种MoTe2和Si复合结构全光太赫兹调制器及其制备方法，该调制器包括表面抛光的硅片以及硅片表面覆盖的MoTe2层；其制备方法包括以下步骤：(1)称取Te和Mo装入石英管中并封管，(2)将石英管放入加热炉中，Mo和Te充分化合反应；(3)反应完毕取出石英管并离心，得到MoTe2体块单晶；(4)将MoTe2体块单晶放入盛有NMP的离心管中进行超声，得到MoTe2分散液；(5)对获得的分散液进行离心，取上清液；(6)将MoTe2上清液旋涂在清洗后的硅片表面，烘干，使NMP溶液完全挥发，得到MoTe2和Si复合结构的太赫兹调制器。本发明制作工艺简单，能够均匀大面积制备，制备的调制器调制简单易实现，在较低的泵浦激光功率下，能够实现宽带调制，调制调制深度大、灵敏度高。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 石英管 调制 太赫兹调制器 复合结构 硅片表面 调制器 分散液 单晶 放入 体块 加热炉 泵浦激光功率 表面抛光 化合反应 宽带调制 取上清液 制作工艺 离心管 灵敏度 上清液 硅片 烘干 超声 称取 封管 挥发 全光 旋涂 装入 清洗 取出 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种MoTe2和Si复合结构全光太赫兹调制器，其特征是，包括半导体Si衬底以及Si衬底表面覆盖的MoTe2层。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东大学，未经山东大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910826305.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：3D电影眼镜接口结构
- 下一篇：一种实现圆二色性的平面微纳结构
