[发明专利]一种肖特基二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201910814838.7 | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN110610982A | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 宋安英;张瑜洁;刘刚;单体伟;陈彤 | 申请（专利权）人： | 泰科天润半导体科技(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/417;H01L29/47;H01L29/872;H01L21/329;H01L21/04 |
| 代理公司： | 35212 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 王美花 |
| 地址： | 100000 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种肖特基二极管包括：一N+衬底和位于所述N+衬底之上的N‑外延层；一肖特基金属层单元，所述肖特基金属层单元覆盖于所述N‑外延层表面，所述肖特基金属层单元包括复数层肖特基金属层，且相邻两层的肖特基金属层的金属不同；一位于所述肖特基金属层单元之上的阳极金属；以及，一位于所述N+衬底另一表面的阴极金属；本发明还提供一种肖特基二极管的制备方法，可以相对灵活地调整肖特基势垒，得到理想的正向压降和可接受的反向漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基金属层 衬底 肖特基二极管 反向漏电流 外延层表面 肖特基势垒 单元覆盖 阳极金属 阴极金属 正向压降 复数层 可接受 外延层 两层 制备 金属 灵活 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基二极管，其特征在于：包括：/n一N+衬底和位于所述N+衬底之上的N-外延层；/n一肖特基金属层单元，所述肖特基金属层单元覆盖于所述N-外延层表面，所述肖特基金属层单元包括复数层肖特基金属层；/n一位于所述肖特基金属层单元之上的阳极金属；/n以及，一位于所述N+衬底另一表面的阴极金属。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泰科天润半导体科技(北京)有限公司，未经泰科天润半导体科技(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910814838.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：功率半导体器件及其形成方法
- 下一篇：抗辐照器件及制备方法
- 同类专利
- 专利分类
