[发明专利]一种石墨烯场效应晶体管及其制备方法和应用方法在审
| 申请号： | 201910813317.X | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN111725322A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 王彩露;叶力 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/10;H01L29/16;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种石墨烯场效应晶体管及其制备方法和应用方法，涉及半导体器件技术领域。本发明通过石墨烯导电沟道层的n型掺杂和p型掺杂，可以有效打开石墨烯的带隙，使得石墨烯具有半导体的性质，从而可以形成场效应晶体管，工艺流程简单，相对于现有技术，本发明的石墨烯场效应晶体管可以通过栅电极电压控制沟道的形成与消失，可以实现较高的开关比，提高栅控能力，从而可以制备成具有开关功能的三端器件，实现逻辑电路的通断并降低逻辑电路的静态功耗，在集成电路领域具有很好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 场效应 晶体管 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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