[发明专利]一种具有热点结构的等离子体多孔结构及其制备方法在审
申请号: | 201910812156.2 | 申请日: | 2019-08-30 |
公开(公告)号: | CN110629175A | 公开(公告)日: | 2019-12-31 |
发明(设计)人: | 陈东圳;张宇;张萌;付涛;贺辛亥;宋忠孝 | 申请(专利权)人: | 西安工程大学 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/16 |
代理公司: | 61214 西安弘理专利事务所 | 代理人: | 王蕊转 |
地址: | 710048 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有热点结构的等离子体多孔结构,包括承载基体以及沉积于承载基体的等离子体多孔结构,等离子体多孔结构上形成有多个孔,多个孔的至少一部分通过韧带相互连接。本发明还公开了该等离子体多孔结构的制备方法,具体包括如下步骤:步骤1:清洗硅片,将硅片放入去离子水中浸泡,然后将硅片取出并用纯氮气吹干;步骤2:将清洁后的硅片送入磁控溅射镀膜设备中,通入氩气气氛,保持恒定气氛压力,随后进行银、钽元素共溅射,然后可制备出具有热点结构的等离子体多孔结构;本发明通过精确调控银、钽沉积速率制备出的等离子体纳米孔结构具有热点密度较高,吸附能力强、表面粗糙度高和光传输能力强的优点。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 多孔结构 硅片 制备 承载基体 磁控溅射镀膜设备 恒定 表面粗糙度 光传输能力 精确调控 气氛压力 水中浸泡 吸附能力 氩气气氛 韧带 纯氮气 共溅射 纳米孔 钽沉积 钽元素 沉积 吹干 放入 离子 清洗 送入 取出 并用 清洁 | ||
【主权项】:
1.一种具有热点结构的等离子体多孔结构,其特征在于,包括承载基体以及沉积于所述承载基体的等离子体多孔结构,所述等离子体多孔结构上形成有多个孔,多个所述孔的至少一部分通过韧带相互连接。/n
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