[发明专利]一种具有热点结构的等离子体多孔结构及其制备方法

权利要求书

1.一种具有热点结构的等离子体多孔结构，其特征在于，包括承载基体以及沉积于所述承载基体的等离子体多孔结构，所述等离子体多孔结构上形成有多个孔，多个所述孔的至少一部分通过韧带相互连接。

2.根据权利要求1所述的一种具有热点结构的等离子体多孔结构，其特征在于，所述韧带上形成有凸起和/或凹进。

3.根据权利要求2所述的一种具有热点结构的等离子体多孔结构，其特征在于，在所述凸起的个数为多个的情形下，多个凸起的形状、体积和分布密度相同或者不同；并且/或者，

在所述凹进的个数为多个的情形下，多个凹进的形状、体积和分布密度相同或者不同。

4.根据权利要求2所述的一种具有热点结构的等离子体多孔结构，其特征在于，所述韧带的长度为50～500nm。

5.根据权利要求1所述的一种具有热点结构的等离子体多孔结构，其特征在于，所述孔的直径为50～300nm，孔深为50～400nm。

6.根据权利要求1所述的一种具有热点结构的等离子体多孔结构，其特征在于，所述孔的孔壁为粗糙的表面结构。

7.一种具有热点结构的等离子体多孔结构的制备方法，其特征在于，具体包括如下步骤：

步骤1：将硅片浸入丙酮溶液中清洗5～10分钟，然后将硅片从丙酮溶液中取出并放入乙醇溶液中清洗5～10分钟，将硅片从乙醇溶液中取出并放入去离子水中浸泡5～15分钟，然后将硅片从去离子水中取出并用氮气吹干；

步骤2：将吹干后的硅片放入磁控溅射镀膜设备中并进行如下操作：将所述磁控溅射镀膜设备抽至真空后通入氩气，然后加入钽靶和银靶对吹干后的硅片进行磁控共溅射沉积以制备出权利要求1至5中任一项所述的具有热点结构的等离子体多孔结构；

其中，在步骤2中对所述磁控溅射镀膜设备进行如下参数设置：将磁控溅射镀膜设备的温度控制为100～150℃，压力控制为0.1～0.3Pa，氩气流量控制为20～40sccm，银靶电流控制为3～10A，钽靶电流控制为1～3A，时间控制为1500s～2000s。

8.根据权利要求7所述的一种具有热点结构的等离子体多孔结构的制备方法，其特征在于，在步骤1中，所述丙酮溶液为分析纯丙酮，所述乙醇溶液为无水乙醇。

9.根据权利要求7所述的一种具有热点结构的等离子体多孔结构的制备方法，其特征在于，在步骤2中，所述氩气的体积流量为20～30sccm，银靶电流控制为3～8A，钽靶电流控制为1～2A。

10.根据权利要求7所述的一种具有热点结构的等离子体多孔结构的制备方法，其特征在于，在步骤2中，所述银靶电流和钽靶电流的比值控制为25∶9。