[发明专利]一种阻变存储器件及其写入方法、擦除方法和读取方法

摘要

本发明公开了一种阻变存储器件，包括场效应管、位线、字线和源线；所述场效应管的漏极与所述位线相连接；所述场效应管的栅极与所述字线相连接；场效应管的源极与源线相连接；所述位线包括由下而上设置的若干介电质层、下电极和上电极，每相邻两介电质层之间夹有一金属层，所述上电极与所述下电极之间的介电质层中设有若干互相并联的阻变层，每一所述阻变层的上下两端分别连接到上电极和下电极；其余的每个介电质层中均设有一金属栓塞。本发明增加了RRAM单元的读取电流窗口，在不增大存储单元面积的同时，设置多个并联的阻变层，在同样的读取电压下可以获得更大的读取电流,或者在同样的读取电流下,可以采用更低的读取电压,从而降低了功耗。

主权项

1.一种阻变存储器件，其特征在于，包括场效应管、位线、字线和源线；所述场效应管的栅极与所述字线相连接；所述场效应管的源极与所述源线相连接；所述位线包括连接单元以及设置在所述连接单元上的存储单元；所述连接单元包括由下而上设置的若干介电质层，每相邻两介电质层之间夹有一金属层，每一所述介电质层中设置有一上下贯穿该介电质层的金属栓塞，每一所述金属层均与与其相邻的金属栓塞相连接；所述存储单元包括下电极、位于所述下电极上方的上电极以及夹在所述下电极与所述上电极之间的一介电质层；所述存储单元的所述介电质层中设有若干互相并联的阻变层，每一所述阻变层的上下两端均分别连接到所述上电极和所述下电极；所述下电极与最上方的金属栓塞相连接；所述场效应管的漏极与最下方的金属栓塞相连接。/n