[发明专利]加热炉体和半导体设备有效
| 申请号： | 201910807519.3 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110527984B | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 郝晓明;郑建宇;赵福平;盛强 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/50 | 分类号： | C23C16/50;C23C16/52;C23C16/46;F27D11/02 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 施敬勃 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种加热炉体和半导体设备，该加热炉体包括：环形保温体；以及相互独立的多个加热结构，沿环形保温体的轴向依次设置在环形保温体的内侧；并且，有至少一个加热结构包括多个加热分部，且与环形保温体的周向上划分的多个分区一一对应，其中至少两个加热分部在同一时间辐射出的热量不同。本发明提供的加热炉体，其能够在同等或较少的加热功率条件下，提高加热效率，缩短加热时间，同时又能够提高工艺均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 加热炉 半导体设备 | ||
【主权项】：
1.一种加热炉体，其特征在于，包括：/n环形保温体；以及/n相互独立的多个加热结构，沿所述环形保温体的轴向依次设置在所述环形保温体的内侧；并且，有至少一个所述加热结构包括多个加热分部，且与所述环形保温体的周向上划分的多个分区一一对应，其中至少两个所述加热分部在同一时间辐射出的热量不同。/n
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
