[发明专利]晶圆缺陷监测方法及系统和计算机存储介质有效
| 申请号： | 201910798068.1 | 申请日： | 2019-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN110517969B | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 胡家航;宋俊丽;严啓志;冯巍;周伦潮 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆缺陷监测方法及系统和计算机存储介质以及半导体器件的制造方法，所述晶圆缺陷监测方法包括：提供一具有晶面和包围所述晶面的晶边的晶圆，对所述晶面和/或晶边进行区域划分；提供一晶圆缺陷扫描系统按照所述区域划分对所述晶面和/或晶边的表面进行扫描，以获得所述晶面和/或晶边的每个区域的缺陷信息；根据每个区域的缺陷信息，获取每个区域的缺陷数量变化趋势图；以及，根据每个区域的缺陷数量变化趋势图，判断出现异常的制程和/或机台的信息。本发明的技术方案能够及时发现晶面和/或晶边上的缺陷，并快速分析判断出现异常的制程和/或机台的信息，进而及时地进行改善，避免批量产品的异常，提升产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 监测 方法 系统 计算机 存储 介质 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆缺陷监测方法，其特征在于，包括：/n提供一晶圆，所述晶圆具有晶面和包围所述晶面的晶边，对所述晶面和/或所述晶边进行区域划分；/n提供一晶圆缺陷扫描系统，所述晶圆缺陷扫描系统按照所述区域划分对所述晶面和/或所述晶边的表面进行扫描，以获得所述晶面和/或所述晶边的每个区域的缺陷信息；/n根据每个区域的所述缺陷信息，获取每个区域的缺陷数量变化趋势图；以及，/n根据每个区域的所述缺陷数量变化趋势图，判断出现异常的制程和/或机台的信息。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
