[发明专利]晶圆缺陷监测方法及系统和计算机存储介质

说明书

本发明提供了一种晶圆缺陷监测方法及系统和计算机存储介质以及半导体器件的制造方法，所述晶圆缺陷监测方法包括：提供一具有晶面和包围所述晶面的晶边的晶圆，对所述晶面和/或晶边进行区域划分；提供一晶圆缺陷扫描系统按照所述区域划分对所述晶面和/或晶边的表面进行扫描，以获得所述晶面和/或晶边的每个区域的缺陷信息；根据每个区域的缺陷信息，获取每个区域的缺陷数量变化趋势图；以及，根据每个区域的缺陷数量变化趋势图，判断出现异常的制程和/或机台的信息。本发明的技术方案能够及时发现晶面和/或晶边上的缺陷，并快速分析判断出现异常的制程和/或机台的信息，进而及时地进行改善，避免批量产品的异常，提升产品良率。

技术领域

本发明涉及集成电路制造领域，特别涉及一种晶圆缺陷监测方法及系统和计算机存储介质以及半导体器件的制造方法。

背景技术

在半导体器件生产的过程中，晶圆的晶面(即功能区)上会产生各种缺陷，而晶面上的缺陷可能会是晶边上的缺陷导致的，也可能是工艺机台等因素导致的。例如，晶面上的颗粒污染，可能是晶边上的光刻胶残留颗粒掉落在晶面上导致，也可能是光刻工艺中的光刻胶污染导致，那么找到导致晶面上产生缺陷的源头后进行及时的改善就显得尤为重要。其中，针对晶边上的缺陷，在光刻、刻蚀以及酸洗等工艺过程中都会接触到晶圆的晶边，都不可避免地会对晶边产生影响，导致晶边产生缺陷。因此，如果要排除晶边上的缺陷，避免晶边上的缺陷导致晶圆报废或者避免晶边上的缺陷引起晶面上的缺陷等问题，就需要对晶边上的缺陷进行监测，并及时解决造成晶边上缺陷的问题点，进而提升晶圆的良率。

现有的线上监测晶边缺陷的方式为定点拍照或全区域扫描，其中，定点拍照的方式只会取晶边上的几十个点，如图1a所示，样本量少，不能监测到整个晶边区域；全区域扫描得到的缺陷数量太多，如图1b所示，缺陷数量可能超过10000个，没办法区分具体出现异常的晶边区域。并且，经过多个工艺之后以及晶边上的不同区域之间存在高度差，使得晶边上的不同区域的颜色差异较大，全区域扫描的时候会扫描到大量的干扰缺陷，干扰缺陷的信号值会大于真实缺陷的信号值，如图2中所示的扫描到的干扰缺陷D1的信号值为46，扫描到的真实缺陷D2的信号值为18，导致对缺陷位置判断错误；而且，因为干扰缺陷的存在，导致对尺寸小的真实缺陷的检测灵敏度降低，无法通过缺陷图片发现小尺寸的真实缺陷，进一步导致无法准确地监测晶边上的缺陷情况。

因此，有必要提出一种晶圆缺陷监测方法及系统和计算机存储介质以及半导体器件的制造方法，能够及时发现晶边上的缺陷，进而对导致晶边缺陷的制程及机台进行改善，避免批量异常。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶圆缺陷监测方法及系统和计算机存储介质以及半导体器件的制造方法，能够及时发现晶面和/或晶边上的缺陷，并快速分析判断出现异常的制程和/或机台的信息，进而及时地对异常的制程和/或机台进行改善，避免批量产品的异常，从而提升产品良率。

为实现上述目的，本发明提供了一种晶圆缺陷监测方法，包括：

提供一晶圆，所述晶圆具有晶面和包围所述晶面的晶边，对所述晶面和/或所述晶边进行区域划分；

提供一晶圆缺陷扫描系统，所述晶圆缺陷扫描系统按照所述区域划分对所述晶面和/或所述晶边的表面进行扫描，以获得所述晶面和/或所述晶边的每个区域的缺陷信息；

根据每个区域的所述缺陷信息，获取每个区域的缺陷数量变化趋势图；以及，

根据每个区域的所述缺陷数量变化趋势图，判断出现异常的制程和/或机台的信息。

可选的，所述晶边区域划分为包括第一上表面、侧面和第一下表面在内的至少三个区域；所述晶面包括第二上表面和第二下表面，将所述晶面的第二上表面和第二下表面从所述晶面的圆心沿着半径方向进行区域划分。