[发明专利]晶圆缺陷监测方法及系统和计算机存储介质有效
申请号: | 201910798068.1 | 申请日: | 2019-08-27 |
公开(公告)号: | CN110517969B | 公开(公告)日: | 2022-09-02 |
发明(设计)人: | 胡家航;宋俊丽;严啓志;冯巍;周伦潮 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 缺陷 监测 方法 系统 计算机 存储 介质 | ||
1.一种晶圆缺陷监测方法,其特征在于,包括:
提供一晶圆,所述晶圆具有晶面和包围所述晶面的晶边,对所述晶面和/或所述晶边进行区域划分;
提供一晶圆缺陷扫描系统,所述晶圆缺陷扫描系统按照所述区域划分对所述晶面和/或所述晶边的表面进行扫描,以获得所述晶面和/或所述晶边的每个区域的缺陷信息;
根据每个区域的所述缺陷信息,获取每个区域的缺陷数量变化趋势图以及所述晶面和/或所述晶边的缺陷图片和/或缺陷分布图,每个区域的所述缺陷数量变化趋势图的横坐标为所述晶圆的片号,纵坐标为所述晶面和/或所述晶边上的缺陷数量;以及,
根据每个区域的所述缺陷数量变化趋势图以及所述缺陷图片和/或缺陷分布图,判断出现异常的制程和/或机台的信息;
其中,判断出现异常的制程和/或机台的信息的步骤包括:
根据每个区域的所述缺陷数量变化趋势图,获得缺陷数量超出规格的异常点所对应的区域名称以及所述晶圆的片号;
根据所述晶圆的片号,调取对应的所述晶面和/或所述晶边的所述缺陷分布图,以得到所述晶面和/或所述晶边上的缺陷位置;以及,
根据所述晶面和/或所述晶边上的缺陷位置,调取对应的所述晶面和/或所述晶边的所述缺陷图片,并结合异常点所对应的区域名称进行分析,以判断出现异常的制程和/或机台的信息。
2.如权利要求1所述的晶圆缺陷监测方法,其特征在于,所述晶边区域划分为包括第一上表面、侧面和第一下表面在内的至少三个区域;所述晶面包括第二上表面和第二下表面,将所述晶面的第二上表面和第二下表面从所述晶面的圆心沿着半径方向进行区域划分。
3.如权利要求1所述的晶圆缺陷监测方法,其特征在于,获得所述晶面和/或所述晶边的每个区域的缺陷信息的步骤包括:首先,一缺陷检测机台上的光源对所述晶面和/或所述晶边的每个区域发出检测光;接着,所述晶圆缺陷扫描系统对每个区域的表面进行扫描;接着,每个区域对应的所述缺陷检测机台上的光学探头接收缺陷信号,以获得每个区域的缺陷信息。
4.一种晶圆缺陷监测系统,其特征在于,包括:
区域划分单元,用于对一晶圆的晶面和/或晶边进行区域划分,所述晶边包围所述晶面;
缺陷检测单元,用于与一晶圆缺陷扫描系统建立连接,以获取所述晶圆缺陷扫描系统按照所述区域划分对所述晶面和/或所述晶边的表面进行扫描获得的每个区域的缺陷信息;
获取单元,用于根据每个区域的所述缺陷信息,获取每个区域的缺陷数量变化趋势图以及所述晶面和/或所述晶边的缺陷图片和/或缺陷分布图,每个区域的所述缺陷数量变化趋势图的横坐标为所述晶圆的片号,纵坐标为所述晶面和/或所述晶边上的缺陷数量;以及,
判断单元,用于根据每个区域的所述缺陷数量变化趋势图以及所述缺陷图片和/或缺陷分布图,判断出现异常的制程和/或机台的信息;
其中,所述获取单元包括:
缺陷数量变化趋势图获取模块,用于获取所述晶面和/或所述晶边的每个区域的缺陷数量变化趋势图;
缺陷图片获取模块,用于获取所述晶面和/或所述晶边的缺陷图片;以及,
缺陷分布图获取模块,用于获取所述晶面和/或所述晶边的缺陷分布图;
所述判断单元包括:
异常点信息获取模块,用于根据每个区域的所述缺陷数量变化趋势图,获得缺陷数量超出规格的异常点所对应的区域名称以及所述晶圆的片号;
缺陷位置获取模块,用于根据所述晶圆的片号,调取对应的所述晶面和/或所述晶边的所述缺陷分布图,以得到所述晶面和/或所述晶边上的缺陷位置;以及,
分析模块,用于根据所述晶面和/或所述晶边上的缺陷位置,调取对应的所述晶面和/或所述晶边的所述缺陷图片,并结合异常点所对应的区域名称进行分析,以判断出现异常的制程和/或机台的信息。
5.如权利要求4所述的晶圆缺陷监测系统,其特征在于,所述缺陷检测单元包括:缺陷检测机台,设置在所述缺陷检测机台上的光源以及光学探头,所述光源用于对所述晶面和/或所述晶边划分的每个区域发出检测光,所述光学探头用于接收每个区域的缺陷信号;所述缺陷检测机台与所述晶圆缺陷扫描系统建立连接,以获得每个区域的缺陷信息。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司,未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910798068.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种翘曲度的控制方法及装置
- 下一篇:晶背缺陷的检测方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造