[发明专利]氧化层缺陷现象风险评估测试键及利用其的测试方法

摘要

本发明涉及氧化层缺陷现象风险评估测试键及利用其的测试方法，涉及半导体集成电路可靠性测试，通过在氧化层缺陷现象风险评估测试键中设置多个测试结构，每个测试结构的栅极区由多个子栅极区按矩阵排列构成，因此可通过设置栅极区中子栅极区的个数得到不同面积的栅极区，再配合外围的金属线和二极管，可实现对尺寸不同的测试结构同时进行栅氧层缺陷风险评估，从而减少常规测结构的数量以及测试时间。

主权项

1.一种氧化层缺陷现象风险评估测试键，其特征在于，包括：/n多个测试结构，其中每一测试结构包括一栅极区，栅极区位于主体衬底上，栅极区由多个子栅极区按矩阵排列构成，其中每一子栅极区由有源区和位于有源区上的多晶硅构成，主体衬底上包括基极、源极和漏极，栅极区包括栅极，栅极、基极、源极和漏极的通孔引出，并源极、漏极的通孔与栅极的间距为设计规则允许的最小距离；/n多个测试结构的基极、源极和漏极分别通过金属线引出后并联连接至同一个测试焊垫PADB，多个测试结构的栅极区分别与一二极管串联之后再分别通过金属线引出后并联连接至同一测试焊垫PADA，并多个测试结构的栅极区分别通过金属线引出后连接至与每一测试结构的栅极区对应的测试焊垫PADx，x从1至n不等，n为测试结构的个数。/n