[发明专利]多晶硅薄膜沉积系统及方法在审
| 申请号： | 201910794126.3 | 申请日： | 2019-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN110592666A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 郭帅;王秉国;吴功莲;蒲浩;潘国卫 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B28/14 | 分类号： | C30B28/14;C30B29/06;C23C16/455;C23C16/24;H01L21/67 |
| 代理公司： | 11479 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 陈敏 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多晶硅薄膜沉积系统及方法，包括：晶圆装载腔室；工艺腔室，与所述装载腔室相连通；含氧气体供给装置，包括含氧气体供给管路，含氧气体供给管路的一端延伸至晶圆装载腔室的内部，用于至少在多晶硅薄膜沉积之后将晶圆自工艺腔室向晶圆装载腔室内传送的过程中向晶圆装载腔室内提供含氧气体；保护气体供给装置，包括保护气体供给管路，保护气体供给管路的一端延伸至晶圆装载腔室的内部，用于至少在含氧气体供给装置未向晶圆装载腔室内提供所述含氧气体时向晶圆装载腔室内提供保护气体。本发明可以对晶圆表面沉积的多晶硅薄膜的表面进行氧化，避免对后续光刻制程工艺的不良影响，确保后续光刻制程工艺的关键尺寸具有较好的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 含氧气体 装载腔室 装载腔 多晶硅薄膜 供给装置 室内 保护气体供给管路 保护气体 工艺腔室 供给管路 光刻制程 沉积 沉积系统 晶圆表面 均匀性 延伸 传送 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅薄膜沉积系统，其特征在于，包括：/n晶圆装载腔室，用于对需要进行多晶硅薄膜沉积的晶圆进行装载；/n工艺腔室，与所述晶圆装载腔室相连通，用于在装载后的所述晶圆表面进行多晶硅薄膜沉积；/n含氧气体供给装置，包括含氧气体供给管路，所述含氧气体供给管路的一端延伸至所述晶圆装载腔室的内部，用于至少在多晶硅薄膜沉积之后将所述晶圆自所述工艺腔室向所述晶圆装载腔室内传送的过程中向所述晶圆装载腔室内提供含氧气体；及/n保护气体供给装置，包括保护气体供给管路，所述保护气体供给管路的一端延伸至所述晶圆装载腔室的内部，用于至少在所述含氧气体供给装置未向所述晶圆装载腔室内提供所述含氧气体时向所述晶圆装载腔室内提供保护气体。/n
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