[发明专利]多晶硅填充方法、半导体器件制作方法及半导体器件在审

申请号：	201910785416.1	申请日：	2019-08-23
公开（公告）号：	CN110600371A	公开（公告）日：	2019-12-20
发明（设计）人：	宋金星;丛茂杰	申请（专利权）人：	中芯集成电路制造(绍兴)有限公司
主分类号：	H01L21/285	分类号：	H01L21/285;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336
代理公司：	31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)	代理人：	曹廷廷
地址：	312000 浙***	国省代码：	浙江;33
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本发明提供了一种多晶硅填充方法、半导体器件制作方法及半导体器件，多晶硅沉积和多晶硅刻蚀在同一工艺腔中进行，可以避免在从刻蚀工艺腔转移到沉积工艺腔的过程中多晶硅发生自然氧化，进而避免该自然氧化层导致沟槽中前后两次沉积的多晶硅分层的问题；多晶硅沉积和多晶硅刻蚀在同一工艺腔中进行，还可以避免在从沉积工艺腔转移至刻蚀工艺腔的过程中多晶硅发生自然氧化，进而避免该自然氧化层导致的刻蚀不良问题。且采用含氟的气体刻蚀多晶硅，能使得刻蚀多晶硅后的产物为气体，避免沟槽中积聚不必要的刻蚀副产物而影响下次多晶硅沉积等后续工艺的效果，并避免前后两次沉积的多晶硅出现分层的问题。
搜索关键词：	多晶硅多晶硅沉积刻蚀半导体器件刻蚀多晶硅自然氧化层刻蚀工艺两次沉积同一工艺自然氧化工艺腔分层沉积多晶硅填充刻蚀副产物不良问题后续工艺含氟积聚制作
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【主权项】：

1.一种多晶硅填充方法，其特征在于，包括：/n步骤S11，提供衬底，所述衬底上形成有沟槽；/n步骤S12，沉积多晶硅于所述沟槽中，沉积的所述多晶硅将所述沟槽的顶部开口封闭；/n步骤S13，采用刻蚀气体刻蚀所述多晶硅，以打开所述沟槽中的填充缝隙；/n步骤S14，再次沉积多晶硅于所述沟槽中；/n其中，所述步骤S12～步骤S14在同一工艺腔中进行。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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