[发明专利]一种抗辐射加固衬底结构有效
| 申请号： | 201910785364.8 | 申请日： | 2019-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN110491861B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 王颖 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京盛询知识产权代理有限公司 11901 | 代理人： | 张海青 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种抗辐射加固衬底，包括基底、N型宽禁带半导体层、第一P型掺杂层、P型外延层，所述N型宽禁带半导体层位于基底之上，所述第一P型掺杂层位于N型宽禁带半导体层之上，所述P型外延层位于第一P型掺杂层之上；本发明应用了P型重掺杂基底/N型轻掺杂宽禁带半导体层/第一P型重掺杂掺杂层结构方案，使N型宽禁带半导体层全耗尽，有效提高了基底到有源层的势垒高度，阻挡基底由于辐射射线产生的电子被漏极收集，同时N型宽禁带半导体层良好的抗辐射特性，增强衬底的抗单粒子辐照特性；此外，N型宽禁带半导体层降低了衬底泄漏电流，此复合衬底的器件兼顾了SOI衬底器件的优良特性，还解决了由于埋氧层导致的抗总剂量辐照能力差等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 辐射 加固 衬底 结构 | ||
【主权项】：
1.一种抗辐射加固衬底结构，其特征在于：包括由下到上依次层叠设置的基底、N型宽禁带半导体层、第一P型掺杂层、P型外延层，所述的基底为单一P型底层或混合层，所述混合层包括第二P型掺杂层、P型底层。/n
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