[发明专利]阵列基板及其制备方法在审
| 申请号： | 201910777809.8 | 申请日： | 2019-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN110610901A | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 刘汉辰 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种阵列基板及其制备方法，相较于传统制备工艺，首先制备第一镀层，然后再镀层上制备第一光刻胶。本发明通过采用上述制备方法，首先在衬底基板上制备第一光刻胶层，且将所述第一光刻层进行图案化处理，然后在经过图案化处理后的第一光刻胶层上制备第一镀层，即在现有制程的基础上，调整了制备薄膜晶体管镀层和光刻胶的顺序，因此可以直接将所述第一镀层进行图案化处理，避免了后期需要将所述第一镀层进行图案化的刻蚀制程，从而省略了构图工艺中的刻蚀制程，使得制备工序简洁化，有效提高产品生产效率，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 镀层 图案化处理 制程 光刻胶层 光刻胶 刻蚀 产品生产效率 传统制备工艺 薄膜晶体管 衬底基板 构图工艺 阵列基板 光刻层 图案化 省略 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：/n提供衬底基板；/n在所述衬底基板上制备第一光刻胶层；/n将所述第一光刻胶层进行图案化处理，制备得到第二光刻胶层；/n在所述第二光刻胶层上制备第一镀膜；/n将所述第二光刻胶层进行剥离处理，制备得到第二镀膜。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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