[发明专利]集成磁隔离芯片的边沿检测电路及边沿转换电路在审
| 申请号： | 201910776770.8 | 申请日： | 2019-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN110518899A | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 王佐;袁思彤;文守甫;王建斌;罗和平;程瑜;李威 | 申请（专利权）人： | 宜宾市叙芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H03K5/125 | 分类号： | H03K5/125;H03K5/06 |
| 代理公司： | 51215 成都惠迪专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 刘勋<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 644000 四川省宜宾市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 集成磁隔离芯片的边沿检测电路和边沿转换电路，涉及集成电路技术。本发明包括：第一PMOS管，其源极接参考高电平，漏极接第二PMOS管的源极，栅极接信号输入端和第一输出点；第二PMOS管，其漏极接第二参考点，其栅极接第三PMOS管的栅极和漏极；第三PMOS管，其源极接参考高电平，其漏极通过第一电流源接地；第四NMOS管，其源极接地，栅极和漏极接第五NMOS管的栅极，漏极还接第二电流源的输出端；第五NMOS管，其源极接第六NMOS管的漏极，其漏极接第二输出点，漏极还通过电容接地；第六NMOS管，其源极接地，栅极接信号输入端。本发明的优点是电压比较稳定，没有了漏极寄生电容充放电的问题，开关速度快，而且没有电荷分流的问题。同时解决了数字控制信号电荷注入的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 漏极 源极 信号输入端 源极接地 电荷 电流源 高电平 输出点 寄生电容充放电 边沿检测电路 集成电路技术 数字控制信号 电容接地 电压比较 隔离芯片 转换电路 参考 接地 参考点 集成磁 输出端 分流 | ||
【主权项】：
1.集成磁隔离芯片的边沿检测电路，其特征在于，包括：/n第一PMOS管(M1)，其源极接参考高电平，漏极接第二PMOS管(M2)的源极，栅极接信号输入端和第一输出点(N1)；/n第二PMOS管(M2)，其漏极接第二参考点(N2)，其栅极接第三PMOS管(M3)的栅极和漏极；/n第三PMOS管(M3)，其源极接参考高电平，其漏极通过第一电流源接地；/n第四NMOS管(M4)，其源极接地，栅极和漏极接第五NMOS管的栅极，漏极还接第二电流源的输出端；/n第五NMOS管(M5)，其源极接第六NMOS管(M6)的漏极，其漏极接第二输出点(N2)，漏极还通过电容(C2)接地；/n第六NMOS管(M6)，其源极接地，栅极接信号输入端。/n
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