[发明专利]具有分流区的沟槽栅IGBT器件及制备方法有效
| 申请号： | 201910773364.6 | 申请日： | 2019-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN110444586B | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 李哲锋;许生根;姜梅 | 申请（专利权）人： | 江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/739;H01L21/28;H01L21/331 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 韩凤 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新吴区菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有分流区的沟槽栅IGBT器件及制备方法，其在元胞沟槽槽底的正下方设置第二导电类型分流区，所述第二导电类型分流区包覆元胞沟槽的槽底；在元胞沟槽内填充有发射极金属以及栅极导电多晶硅，所述栅极导电多晶硅在元胞沟槽内位于发射极金属的外圈，发射极金属通过金属绝缘隔离体与栅极导电多晶硅绝缘隔离，栅极导电多晶硅通过绝缘栅氧化层与所在元胞沟槽的侧壁以及底壁绝缘隔离，填充在元胞沟槽内的发射极金属与所在元胞沟槽槽底下方的第二导电类型分流区欧姆接触。本发明能有效提升抗闩锁能力以及耐压能力，减小米勒电容，有效提高IGBT器件的开关效率，减低开关损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 分流 沟槽 igbt 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有分流区的沟槽栅IGBT器件，包括具有第一导电类型的半导体基板以及设置于所述半导体基板中心区的有源区，所述有源区内的元胞采用沟槽结构，元胞的元胞沟槽位于半导体基板内；其特征是：在元胞沟槽槽底的正下方设置第二导电类型分流区，所述第二导电类型分流区包覆元胞沟槽的槽底；在元胞沟槽内填充有发射极金属以及栅极导电多晶硅，所述栅极导电多晶硅在元胞沟槽内位于发射极金属的外圈，发射极金属通过金属绝缘隔离体与栅极导电多晶硅绝缘隔离，栅极导电多晶硅通过绝缘栅氧化层与所在元胞沟槽的侧壁以及底壁绝缘隔离，填充在元胞沟槽内的发射极金属与所在元胞沟槽槽底下方的第二导电类型分流区欧姆接触。
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