[发明专利]图像传感器及其制作方法在审
| 申请号： | 201910766674.5 | 申请日： | 2019-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN110491892A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 刘强;郭松辉;林宗贤;吴明 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 11654 北京市一法律师事务所 | 代理人： | 刘荣娟<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种图像传感器及其制作方法，所述的图像传感器包括：形成有感光元件的半导体衬底；位于所述半导体衬底上的绝缘结构；位于所述绝缘结构上并且部分覆盖所述绝缘结构的遮光膜；位于绝缘结构上位置对应于所述感光元件的滤色层，所述遮光膜隔离所述滤色层；位于所述遮光膜和所述滤色层上的钝化层；位于所述钝化层上的微透镜；其中，从所述微透镜至所述绝缘结构的光路中还设置有电磁波吸收层。本申请所述的图像传感器及其制作方法，通过在从所述微透镜至所述绝缘结构的光路中形成电磁波吸收层，避免电磁波进入图像传感器，以提高所述图像传感器的成像质量。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘结构 图像传感器 滤色层 微透镜 遮光膜 电磁波吸收层 感光元件 钝化层 衬底 光路 半导体 电磁波 上位置 申请 制作 成像 隔离 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：/n形成有感光元件的半导体衬底；/n位于所述半导体衬底上的绝缘结构；/n位于所述绝缘结构上并且部分覆盖所述绝缘结构的遮光膜；/n位于绝缘结构上位置对应于所述感光元件的滤色层，所述遮光膜隔离所述滤色层；/n位于所述遮光膜和所述滤色层上的钝化层；/n位于所述钝化层上的微透镜；/n其中，从所述微透镜至所述绝缘结构的光路中还设置有电磁波吸收层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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