[发明专利]用于光刻设备内的膜和包括这种膜的光刻设备有效
| 申请号： | 201910757335.0 | 申请日： | 2015-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN110501769B | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 安德雷·亚历山德罗维奇·尼基佩洛夫;V·Y·班尼恩;约瑟夫·帕卓斯·亨瑞克瑞·本叔普;阿尔扬·布格阿德;弗洛里安·迪迪埃·阿尔滨·达鲁因;阿列克谢·谢尔盖耶维奇·库兹涅佐夫;玛丽亚·皮特;L·斯卡克卡巴拉兹;威廉·琼·范德赞德;彼得-詹·范兹沃勒;A·M·雅库尼恩 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18;G02B5/20;G03F1/24;G03F1/62;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张启程 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明披露一种对极紫外线(EUV)辐射透射的膜，所述膜可用作光刻设备中的表膜或光谱滤光片。该膜包括：一个或更多个高掺杂区，其中所述膜是以大于10 |
||
| 搜索关键词： | 用于 光刻 设备 包括 这种 | ||
【主权项】：
1.一种用于光刻设备的膜，所述膜具有至少0.1的IR辐射发射率且对EUV辐射基本上透射，所述膜包括：/n厚度为16nm或更薄的核心层，所述核心层包括对EUV辐射基本上透射的碳基材料；和/n盖层，用于改进IR辐射发射率，所述盖层包括吸收IR辐射的材料且具有20nm或更小的层厚度。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASML荷兰有限公司，未经ASML荷兰有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910757335.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种多光谱、大带宽光子筛
- 下一篇：一种可见滤光片的制备工艺
