[发明专利]半导体存储装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201910748426.8 | 申请日： | 2019-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN111524898B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 小泽歩 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B43/20 | 分类号： | H10B43/20;H10B43/30 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的一实施方式涉及一种半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置在积层着多层由导电层及绝缘层的组构成的单位层而成的积层体，设置三维地配置着存储单元的存储单元阵列、及将所述导电层与接点连接的接点部。所述接点部包含接点配置部、及连接部。所述接点配置部包含具有朝向离开所述存储单元阵列的第1方向降阶的各阶差的降阶阶差群、及具有朝向所述第1方向升阶的各阶差的升阶阶差群。所述连接部将所述存储单元阵列的所述导电层与被分断的所述升阶阶差群的所述导电层连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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