[发明专利]一种半导体薄膜层的转移方法及复合晶圆的制备方法有效
| 申请号： | 201910743295.4 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN110491827B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 代京京;王智勇;兰天 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人： | 孙腾 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体薄膜层的转移方法及复合晶圆的制备方法，包括：在半导体衬底的上表面上制备第一介质层、下表面上制备金属膜层；在第二半导体衬底上制备第二介质层；将第一介质层和第二介质层键合，使第一半导体衬底和第二半导体衬底相结合；在第一半导体衬底的侧面刻蚀沟槽；对第一半导体衬底的下表面金属膜层施加外力，使第一半导体衬底在沟槽处横向晶裂，晶裂后的半导体薄膜层转移到第二半导体衬底上。本发明可实现高质量、大面积、低成本的半导体单晶薄膜层在XOI衬底上的制备；同时，此方法可以重复利用剩余的第一半导体衬底，从第一半导体衬底上分离出多层半导体薄膜层，用于制备多个XOI，大大节约了工业制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 薄膜 转移 方法 复合 制备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体薄膜层的转移方法，其特征在于，包括：/n在第一半导体衬底的上表面上制备第一介质层、下表面上制备金属膜层；/n在第二半导体衬底上制备第二介质层；/n将所述第一介质层和第二介质层键合，使所述第一半导体衬底和第二半导体衬底相结合；/n在所述第一半导体衬底的侧面刻蚀沟槽；/n对所述第一半导体衬底的下表面金属膜层施加外力，使所述第一半导体衬底在所述沟槽处横向晶裂，晶裂后的半导体薄膜层转移到所述第二半导体衬底上。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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