[发明专利]一种节省面积的螺旋电感器结构在审
| 申请号： | 201910735002.8 | 申请日： | 2019-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN110581219A | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 赵文生;胡庆豪;徐魁文;陈世昌;王高峰 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 33240 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 朱亚冠 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种节省面积的螺旋电感器结构，包括基底顶部的重新布局层、基底中间的硅通孔阵列和基底底部的重新构建层；硅通孔阵列包括位于同一直线且互不相连的四个硅通孔，从左至右定义为第一至第四硅通孔，每个硅通孔呈圆柱形,由位于中间的半导体性碳纳米管束，以及分别设置在半导体性碳纳米管束两侧的金属性碳纳米管束构成，且半导体性碳纳米管束完全阻隔两金属性碳纳米管束；硅通孔外周设置有呈圆环形的氧化物介质层。本发明利用硅通孔和金属线互连形成高密度三维集成螺旋电感器，该电感器结构简单、芯片利用率高、占用尺寸小、工艺难度小、成本低，对于电子、通讯系统的集成化和微型化发展具有很好的推动作用。 | ||
| 搜索关键词： | 硅通孔 碳纳米管束 半导体性 基底 螺旋电感器 金属性 氧化物介质层 微型化 电感器结构 芯片利用率 工艺难度 互不相连 三维集成 通讯系统 同一直线 重新构建 布局层 集成化 金属线 圆环形 互连 外周 阻隔 占用 | ||
【主权项】：
1.一种节省面积的螺旋电感器结构，其特征在于包括基底顶部的重新布局层、基底中间的硅通孔阵列和基底底部的重新构建层；/n硅通孔阵列包括位于同一直线且互不相连的四个硅通孔，从左至右定义为第一至第四硅通孔，每个硅通孔呈圆柱形,由位于中间的半导体性碳纳米管束，以及分别设置在半导体性碳纳米管束两侧的金属性碳纳米管束构成，且半导体性碳纳米管束完全阻隔两金属性碳纳米管束；硅通孔外周设置有呈圆环形的氧化物介质层；第一硅通孔左侧金属性碳纳米管束的重新构建层端与第四硅通孔右侧金属性碳纳米管束的重新构建层端通过金属线连接，第四硅通孔右侧金属性碳纳米管束的重新布局层端和第一硅通孔右侧金属性碳纳米管束的重新布局层端通过金属线连接，第一硅通孔右侧金属性碳纳米管束的重新构建层端和第四硅通孔左侧金属性碳纳米管束的重新构建层通过金属线连接，第四硅通孔左侧金属性碳纳米管束的重新布局层端和第二硅通孔左侧金属性碳纳米管束的重新布局层端通过金属线连接，第二硅通孔左侧金属性碳纳米管束的重新构建层端和第三硅通孔右侧金属性碳纳米管束的重新构建层通过金属线连接，第三硅通孔右侧金属性碳纳米管束的重新布局层端和第二硅通孔右侧金属性碳纳米管束的重新布局层端通过金属线连接，第二硅通孔右侧金属性碳纳米管束的重新构建层端和第三硅通孔左侧金属性碳纳米管束的重新构建层通过金属线连接，第三硅通孔左侧金属性碳纳米管束的重新布局层端通过金属线连出。/n
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