[发明专利]获取高纯度半导体性单壁碳纳米管的方法有效

专利信息
申请号: 201610212475.6 申请日: 2016-04-07
公开(公告)号: CN107298436B 公开(公告)日: 2019-12-06
发明(设计)人: 李清文;韩杰;李红波;邱松;金赫华 申请(专利权)人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: C01B32/159 分类号: C01B32/159;C01B32/17;B82Y40/00
代理公司: 32256 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 代理人: 王锋<国际申请>=<国际公布>=<进入国
地址: 215123 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种获取高纯度半导体性单壁碳纳米管的方法,其包括:将单壁碳纳米管及复并苯类小分子分散剂在分散介质中均匀混合形成分散溶液;将分散溶液分离形成固相部分和液相部分,再从所述液相部分收集半导体性单壁碳纳米管。本发明利用复并苯类小分子分散剂对半导体性单壁碳纳米管(s‑SWCNTs)具有优异选择性的特点,通过简单操作,可规模化制备高纯度半导体性单壁碳纳米管,且所获高纯度半导体性单壁碳纳米管可直接用来制备高性能薄膜晶体管,亦可以用来充当太阳能电池中的空穴传输层。
搜索关键词: 获取 纯度 半导体 性单壁碳 纳米 方法
【主权项】:
1.一种获取高纯度半导体性单壁碳纳米管的方法,其特征在于包括:/n将单壁碳纳米管及复并苯类小分子分散剂在分散介质中均匀混合形成分散溶液,所述复并苯类小分子分散剂具有下式A、B、C、D中任一者所示的结构:/n /n其中,R选自氢原子或具有1~20个碳原子的直链、支链或者环状烷基链中的任意一种,并且式B中R在苯环上的取代位置为对位、间位或邻位;/n将分散溶液分离形成固相部分和液相部分,所述液相部分包含富集的、结合有所述复并苯类小分子分散剂的半导体性单壁碳纳米管;/n对所述液相部分进行过滤或再离心处理,得到表面结合有复并苯类小分子分散剂的半导体性单壁碳纳米管;/n至少选用酸洗、气体刻蚀或光照方式中的任一种方法使所述复并苯类小分子分散剂裂解,从而除去与所述半导体性单壁碳纳米管结合的复并苯类小分子分散剂,获得高纯度半导体性单壁碳纳米管。/n
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