[发明专利]具有分化相邻分隔源极或漏极接触结构的集成电路结构在审
| 申请号： | 201910717263.7 | 申请日： | 2019-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN110880506A | 公开（公告）日： | 2020-03-13 |
| 发明（设计）人： | M.J.科布林斯基;S.波加斯基;M.麦克唐奈;T.贾尼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 付曼;杨美灵 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述具有分化相邻分隔源极或漏极接触结构的集成电路结构。集成电路结构包括第一鳍之上的第一栅极堆叠以及第二鳍之上的第二栅极堆叠。第一和第二外延源极或漏极结构在第一鳍的第一和第二端。第三和第四外延源极或漏极结构在第二鳍的第一和第二端。第一导电接触结构耦合到第一或第二外延源极或漏极结构其中之一，并且具有与第二部分分隔的第一部分。第二导电接触结构耦合到第三或第四外延源极或漏极结构其中之一，并且具有与第二部分分隔的第一部分。第二导电接触结构与第一导电接触结构相邻，并且具有与第一导电接触结构的组成不同的组成。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 分化 相邻 分隔 接触 结构 集成电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910717263.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
