[发明专利]一种过渡金属氧化物薄膜的直流反应磁控溅射沉积方法在审
| 申请号： | 201910716179.3 | 申请日： | 2019-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN110295354A | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 朱红兵;麦耀华;万梅秀 | 申请（专利权）人： | 暨南大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/54 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 黄媛君 |
| 地址： | 510632 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种过渡金属氧化物薄膜的直流反应磁控溅射沉积方法，包括如下步骤：将安装有过渡金属靶的阴极连接到外部直流电源，设定合适的沉积条件，开启直流电源产生等离子体；逐步增加或者减少进入真空溅射腔室内的反应气体流量，获得一条关于靶电压和反应气体流量的特定关系曲线；根据所述关系曲线将反应气体零点至靶电压最高点的反应溅射区域划分为金属区，将靶电压最高点之后的反应溅射区域划分为金属氧化物区，靶电压最高点对应的反应气体流量为拐点反应气体流量，在拐点反应气体流量附近获得由多个工艺参数共同决定的工作点；在该工作点下进行反应磁控溅射沉积从而制备获得性能优异的过渡金属氧化物材料。本发明涉及薄膜制备技术领域。 | ||
| 搜索关键词： | 反应气体流量 过渡金属氧化物 沉积 直流反应磁控溅射 反应溅射 关系曲线 工作点 拐点 薄膜 等离子体 阴极 薄膜制备技术 反应磁控溅射 外部直流电源 金属氧化物 真空溅射腔 沉积条件 反应气体 过渡金属 直流电源 逐步增加 金属区 制备 室内 | ||
【主权项】：
1.一种过渡金属氧化物薄膜的直流反应磁控溅射沉积方法，其特征在于，包括如下步骤：将安装有过渡金属靶的阴极连接到外部直流电源，设定合适的沉积条件，开启直流电源产生等离子体；逐步增加或者减少进入真空溅射腔室内的反应气体流量，获得一条关于靶电压和反应气体流量的特定关系曲线；根据所述关系曲线将反应气体流量零点至靶电压最高点的反应溅射区域划分为金属区，将靶电压最高点之后的反应溅射区域划分为金属氧化物区，靶电压最高点对应的反应气体流量为拐点反应气体流量，在拐点反应气体流量附近获得由多个工艺参数共同决定的工作点；在该工作点下进行反应磁控溅射沉积从而制备获得性能优异的过渡金属氧化物材料。
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