[发明专利]硅基近红外单光子雪崩二极管探测器及其制作方法

摘要

本发明公开了硅基近红外单光子雪崩二极管探测器，属于光电探测技术领域，该单光子雪崩二极管探测器包括设置在P型衬底的上方的P型外延层，在P型衬底与P型外延层之间设置N+埋层区，在N+埋层区上对称设置深N阱区，在N+埋层区上的中心位置设置深P阱区，深P阱区与N+埋层区之间形成雪崩区。本发明的单光子雪崩二极管探测器在深P阱与N+埋层之间形成深的雪崩区，同时利用低掺杂且分布均匀的P型外延层作为虚拟保护环来提高近红外光子探测效率，缩小器件尺寸和减小暗计数噪声；本发明的制作方法可基于标准硅基工艺制作，具有低成本、高集成度、低功耗和近红外探测能力等优点。

主权项

1.硅基近红外单光子雪崩二极管探测器，其特征在于：包括设置在P型衬底（1）的上方的P型外延层（3），在所述的P型衬底（1）与P型外延层（3）之间设置N+埋层区（2），在所述的N+埋层区（2）上对称设置深N阱区（5），在N+埋层区（2）上的中心位置设置深P阱区（4），所述的深P阱区（4）与N+埋层区（2）之间形成雪崩区。