[发明专利]具有可重新配置的邻区辅助LLR校正的NAND闪速存储器有效
| 申请号： | 201910713108.8 | 申请日： | 2019-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN110797075B | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 蔡宇;均峰;诺顿·初;张帆 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/44 | 分类号： | G11C29/44 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 赵赫;张澜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有可重新配置的邻区辅助LLR校正的NAND闪速存储器。本发明提供一种操作存储系统的方法，该存储系统包括存储器单元和存储器控制器。每个存储器单元是m位多层单元(MLC)，其中m是整数。方法包括对目标存储器单元执行软读取操作，并且基于来自软读取操作的结果确定当前LLR(对数似然比)值。方法还包括基于相邻存储器单元对目标存储器单元的LLR的影响而将相邻存储器单元和目标存储器单元的m位单元值分组成各自的n位索引，其中n是整数并且nm。基于n位索引来确定LLR补偿值，并且基于当前LLR值和LLR补偿值来确定补偿LLR值。方法还包括使用该补偿LLR值执行软解码。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 重新 配置 辅助 llr 校正 nand 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性数据存储装置，包括：/n存储器单元，所述存储器单元中的每个为与字线和位线相关联的4位四层单元即QLC；以及/n存储器控制器，联接到所述存储器单元以控制所述存储器单元的操作；/n其中所述存储器控制器包括：/n对数似然比生成块，即LLR生成块，生成当前LLR值；/n下采样块，基于相邻存储器单元对目标存储器单元的LLR的影响，将所述相邻存储器单元和所述目标存储器单元的4位单元值分组成各自的3位索引；/nLLR补偿查找表，即LLR补偿LUT，提供LLR补偿值，以及/nLLR校正块，接收所述当前LLR值和所述LLR补偿值以产生补偿LLR值；/n其中所述存储器控制器：/n响应于来自主机的读取命令对所述目标存储器单元执行软读取操作，/n使用所述LLR生成块、基于来自所述软读取操作的结果来确定所述当前LLR值；/n使用所述下采样块将所述相邻存储器单元和所述目标存储器单元的4位单元值转换成各自的3位索引；/n使用所述LLR补偿LUT、基于3位索引来确定所述LLR补偿值；/n使用所述LLR校正块以基于所述当前LLR值和所述LLR补偿值确定所述补偿LLR值；/n使用所述补偿LLR值来执行软解码；/n基于所述软解码来校正所述单元值；并且/n将所校正的单元值存储在所述存储器控制器中。/n
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