[发明专利]具有可重新配置的邻区辅助LLR校正的NAND闪速存储器

说明书

本发明涉及具有可重新配置的邻区辅助LLR校正的NAND闪速存储器。本发明提供一种操作存储系统的方法，该存储系统包括存储器单元和存储器控制器。每个存储器单元是m位多层单元(MLC)，其中m是整数。方法包括对目标存储器单元执行软读取操作，并且基于来自软读取操作的结果确定当前LLR(对数似然比)值。方法还包括基于相邻存储器单元对目标存储器单元的LLR的影响而将相邻存储器单元和目标存储器单元的m位单元值分组成各自的n位索引，其中n是整数并且nm。基于n位索引来确定LLR补偿值，并且基于当前LLR值和LLR补偿值来确定补偿LLR值。方法还包括使用该补偿LLR值执行软解码。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年8月2日提交的申请号为62/713,964，标题为“具有利用下采样和流水线的可重新配置邻区辅助校正的NAND闪速存储器”的临时申请的优先权，该临时申请转让给本受让人，并且该临时申请通过引用整体而明确地并入本文。

本申请还涉及到于2016年1月3日提交的申请号为15/173,446，标题为“用于Turbo乘积码的低复杂度软解码器的技术”的美国专利申请，现在其美国专利号为10,218,388，该申请被转让给本受让人，并且该申请通过引用整体而明确地并入本文。本申请还涉及到于2017年7月19日提交的申请号为15/654,492，标题为“低复杂度LDPC编码器”的美国专利申请，该申请已转让给本受让人，并且该申请通过引用整体而明确地并入本文。

技术领域

本发明总体涉及一种用于存储装置的系统和方法，并且具体地涉及提高非易失性存储器装置的性能。

背景技术

固态存储器广泛应用于包括例如消费性电子装置(例如，蜂窝电话、照相机、计算机等)的各种电子系统和企业计算系统(例如，硬盘驱动器、随机存取存储器(RAM)等)中。固态存储器由于延迟、吞吐量、抗冲击性、封装和其它考虑因素而比机械或其它存储器存储技术更为普及。在这些非易失性存储器装置之中，NAND闪速存储器装置由于高集成度的低制造成本而受欢迎。

在NAND存储器中，在目标单元和相邻单元之间存在耦合电容。根据待编程至单元中的数据，随着电压阈值增加，电场可以影响相邻单元并且可能导致不同的读取单元电压。此外，在一些3D存储器中，在不同层的相邻单元之间可能发生电荷泄漏。因此，非常需要用于校正来自相邻单元的干扰的有效技术。

发明内容

在一些实施例中，描述了用于LLR(对数似然比)的邻区辅助校正(NAC)的技术，与传统方法相比，该技术降低了复杂性和存储空间。此外，本文描述的技术是可重新配置的，并且可以容易地适应于变化的存储器技术。

根据本发明的一些实施例，一种非易失性数据存储装置，包括：存储器单元和存储器控制器，该存储器控制器联接到存储器单元以控制存储器单元的操作。每个存储器单元是与字线和位线相关联的m位多层单元(MLC)，其中m是整数。存储器控制器被配置成响应于来自主机的读取命令对目标存储器单元执行软读取操作，并且基于来自软读取操作的结果来确定当前LLR(对数似然比)值。存储器控制器还被配置成基于相邻存储器单元对目标存储器单元的LLR的影响，将相邻存储器单元和目标存储器单元的m位单元值分组成各自的n位索引，其中n是整数并且nm。存储器控制器还被配置成基于n位索引确定LLR补偿值、基于当前LLR值和LLR补偿值确定补偿LLR值，并且使用该补偿LLR值执行软解码。

在非易失性数据存储装置的一些实施例中，存储器控制器进一步被配置成基于软解码来校正单元值以及将校正的单元值存储在存储器控制器中。

在一些实施例中，存储器控制器包括LLR(对数似然比)生成块，用于生成当前LLR值；下采样块，用于将相邻存储器单元和目标存储器单元的m位单元值转换成各自的n位索引；LLR补偿块，用于提供LLR补偿值，以及LLR校正块，用于接收当前LLR值和LLR补偿值以产生补偿LLR值。