[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201910706598.9 | 申请日： | 2019-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN112309865B | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 马春霞;林峰;许超奇;孙贵鹏 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/08;H01L29/40;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法。该方法包括：获取表面开设有第一沟槽的衬底；形成隔离结构；在第一沟槽的两侧形成场极板介质结构，在衬底中形成漏极区，漏极区至少部分被场极板介质结构覆盖；在第一沟槽中部位置的衬底中形成源极区；在场极板介质结构的表面形成栅极，栅极沿场极板介质结构向下延伸至第二沟槽底部的衬底表面。场极板介质结构是通过刻蚀第一沟槽中的隔离结构而形成的，与传统的浅槽隔离工艺兼容，不增加额外的场极板形成步骤，器件导通时源漏电流路径沿着第一沟槽的底部，电流路径接近直线，有效缩短了器件导通时源极区和漏极区之间的电流路径，而且不存在电流拥挤问题，同时降低器件导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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