[发明专利]化合物半导体单晶薄膜层的转移方法及单晶GaAs-OI复合晶圆的制备方法有效
| 申请号： | 201910703731.5 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN110491826B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 代京京;王智勇;兰天 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人： | 周文 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种化合物半导体单晶薄膜层的转移方法及单晶GaAs‑OI复合晶圆的制备方法，包括：在第一衬底上制备石墨过渡层；在石墨过渡层上生长化合物半导体单晶薄膜层；在化合物半导体单晶薄膜层上制备第一介质层；在第二衬底上制备第二介质层；通过第一介质层和第二介质层的键合，使第一衬底和第二衬底相结合；施加一个横向的外部压力，使化合物半导体单晶薄膜层与第一衬底在石墨过渡层处横向分裂，将化合物半导体单晶薄膜层转移到第二衬底上。本发明可将外延生长的高质量化合物半导体单晶薄膜层通过介质层键合的方式转移到Si基衬底上，可以实现高质量、大面积、低成本化合物半导体单晶薄膜层在SOI衬底上的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 薄膜 转移 方法 gaas oi 复合 制备 | ||
【主权项】：
1.一种化合物半导体单晶薄膜层的转移方法，其特征在于，包括：/n在第一衬底上制备石墨过渡层；/n在所述石墨过渡层上生长化合物半导体单晶薄膜层，所述化合物半导体单晶薄膜层与第一衬底具有相同晶格结构；/n在所述化合物半导体单晶薄膜层上制备第一介质层；/n在第二衬底上制备第二介质层；/n通过所述第一介质层和第二介质层的键合，使所述第一衬底和第二衬底相结合；/n施加一个横向的外部压力，使所述化合物半导体单晶薄膜层与第一衬底在所述石墨过渡层处横向分裂，将所述化合物半导体单晶薄膜层转移到所述第二衬底上。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京工业大学，未经北京工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910703731.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
