[发明专利]一种低势垒多量子阱高阻缓冲层外延结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201910695339.0 | 申请日： | 2019-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN110429128B | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 林科闯;房育涛;李智杰;刘波亭;罗宇彦;张恺玄 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/207;H01L21/02;H01L29/778 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种低势垒多量子阱高阻缓冲层外延结构及其制备方法，包括由下至上层叠设置的衬底、成核层、低势垒多量子阱高阻缓冲层和GaN层；在所述低势垒多量子阱高阻缓冲层中，每个多量子阱周期中包括交替层叠的Al |
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| 搜索关键词： | 一种 低势垒 多量 子阱高阻 缓冲 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低势垒多量子阱高阻缓冲层外延结构，其特征在于：包括由下至上层叠设置的衬底、成核层、低势垒多量子阱高阻缓冲层和GaN层；在所述低势垒多量子阱高阻缓冲层中，每个多量子阱周期中包括交替层叠的AlaGa1‑aN势阱层和AlbGa1‑bN势垒层；在AlaGa1‑aN势阱层中0%≤a≤90%，在AlbGa1‑bN势垒层中2%≤b≤100%，且2%≤b‑a≤10%。
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