[发明专利]一种低功耗绝缘栅极区双极型晶体管在审
| 申请号： | 201910692880.6 | 申请日： | 2019-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN110299406A | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 刘俊杰;林信南;王曦;董树荣;卫荣汉 | 申请（专利权）人： | 北方民族大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市领专知识产权代理有限公司 11590 | 代理人： | 王莹莹;代平 |
| 地址： | 750021 宁夏回族*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种低功耗绝缘栅极区双极型晶体管，包括N‑漂移区，所述N‑漂移区的一侧设有集电极区，N‑漂移区的另一侧设有栅极区，在所述栅极区旁靠近集电极区的一侧设有发射极区，在所述发射极区靠近集电极区的一侧设有绝缘槽势垒，且所述绝缘槽势垒与发射极区贴合。本发明处于导通状态时，空穴分布在N‑漂移区，绝缘槽势垒不会阻断电子电流，但可以可以阻断大部分的空穴电流，这样就可以实现空穴存储，即N‑漂移区内的空穴密度会增加，那么从MOS沟道注入的电子可以增加，电导调制作用增强，通过这种方式，可以降低晶体管器件的导通电阻，同时在保持开关损耗不增加的情况下，降低了导通损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 漂移区 发射极区 集电极区 绝缘槽 势垒 双极型晶体管 空穴 绝缘栅极 低功耗 栅极区 半导体器件技术 漂移 晶体管器件 导通电阻 导通损耗 导通状态 电导调制 电子电流 开关损耗 空穴存储 空穴电流 作用增强 沟道 贴合 | ||
【主权项】：
1.一种低功耗绝缘栅极区双极型晶体管，其特征在于：包括N‑漂移区，所述N‑漂移区的一侧设有集电极区，N‑漂移区的另一侧设有栅极区，在所述栅极区旁靠近集电极区的一侧设有发射极区，在所述发射极区靠近集电极区的一侧设有绝缘槽势垒，且所述绝缘槽势垒与发射极区贴合。
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