[发明专利]一种TGG晶体生长方法及TGG晶体

摘要

本发明公开了一种TGG晶体生长方法，包括如下步骤：对Tb4O7以及Ga2O3原料进行加热处理；对加热处理后的Tb4O7以及Ga2O3原料进行球磨处理；对球磨处理之后的Tb4O7以及Ga2O3原料进行过筛后放入坩埚，并将盛有原料的坩埚放入晶体生长炉；对坩埚进行加热；在Tb4O7以及Ga2O3原料熔化之后，调整熔融料温度至高于TGG晶体熔化温度5‑10℃；调整籽晶杆以使得籽晶杆顶端的籽晶与熔融料液面接触，在籽晶与熔融料液面接触时，籽晶杆保持第一转速；调整籽晶杆以使得籽晶杆顶端的籽晶沉入熔融料液面之下，在籽晶沉入熔融料液面之下的过程中，籽晶杆保持第二转速；调整籽晶杆转速以使得籽晶杆保持第三转速以便进行引晶；及当晶种直径扩张至10‑15mm之后，提拉籽晶杆，并调整籽晶杆转速至第四转速。

主权项

1.一种TGG晶体生长方法，其特征在于：所述TGG晶体生长方法包括如下步骤：提供Tb₄O₇以及Ga₂O₃原料；对所述Tb₄O₇以及Ga₂O₃原料进行加热处理；对加热处理之后的Tb₄O₇以及Ga₂O₃原料进行球磨处理；对球磨处理之后的Tb₄O₇以及Ga₂O₃原料进行过筛；将过筛处理之后的Tb₄O₇以及Ga₂O₃原料放入坩埚，并将盛有原料的坩埚放入晶体生长炉；对所述盛有原料的坩埚进行加热，以使得Tb₄O₇以及Ga₂O₃原料熔化；在所述Tb₄O₇以及Ga₂O₃原料熔化之后，调整熔融料温度至高于TGG晶体熔化温度5‑10℃；调整籽晶杆以使得籽晶杆顶端的籽晶与熔融料液面接触，在籽晶与熔融料液面接触时，所述籽晶杆保持第一转速；调整籽晶杆以使得籽晶杆顶端的籽晶沉入所述熔融料液面之下，在籽晶沉入所述熔融料液面之下的过程中，所述籽晶杆保持第二转速；调整籽晶杆转速以使得所述籽晶杆保持第三转速以便进行引晶；以及当晶种直径扩张至10‑15mm之后，以第一速度提拉所述籽晶杆，并调整所述籽晶杆转速至第四转速。