[发明专利]一种TGG晶体生长方法及TGG晶体

说明书

本发明公开了一种TGG晶体生长方法，包括如下步骤：对Tb₄O₇以及Ga₂O₃原料进行加热处理；对加热处理后的Tb₄O₇以及Ga₂O₃原料进行球磨处理；对球磨处理之后的Tb₄O₇以及Ga₂O₃原料进行过筛后放入坩埚，并将盛有原料的坩埚放入晶体生长炉；对坩埚进行加热；在Tb₄O₇以及Ga₂O₃原料熔化之后，调整熔融料温度至高于TGG晶体熔化温度5‑10℃；调整籽晶杆以使得籽晶杆顶端的籽晶与熔融料液面接触，在籽晶与熔融料液面接触时，籽晶杆保持第一转速；调整籽晶杆以使得籽晶杆顶端的籽晶沉入熔融料液面之下，在籽晶沉入熔融料液面之下的过程中，籽晶杆保持第二转速；调整籽晶杆转速以使得籽晶杆保持第三转速以便进行引晶；及当晶种直径扩张至10‑15mm之后，提拉籽晶杆，并调整籽晶杆转速至第四转速。

技术领域

本发明是关于晶体生长技术领域，特别是关于一种TGG晶体生长方法及TGG晶体。

背景技术

目前研究表明，铽镓石榴石(TGG)晶体具有磁光常数大，透射损耗低，热导率高及抗激光损伤阈值高等特点，是目前400-1100nm最好的磁光材料之一，是用于制作法拉第隔离器的最佳磁光材料，广泛应用于钇铝石榴石(YAG)及掺Ti蓝宝石等多级放大、环形、种子注入激光器中。

现有技术CN105839178B公开了一种铌酸锂单晶的制备方法，它包括以下步骤：(a)将氧化铌和碳酸锂按质量比为79.1～79.2∶20.8～20.9进行混合，加水后压成块状混合物；(b)将块状混合物加入第一加热炉中，以8～10℃/分钟的速度将加热炉由室温升温至1150℃，保温1.5～2小时得初产品；(c)将所述初产品加入坩埚中，置于第二加热炉中，调整籽晶杆使其与坩埚同心，加热使其熔化，随后降温至1330～1350℃，调节所述籽晶杆的转速为8～15转/分钟，并将其下端的籽晶降至熔融液中接种引晶，当晶种直径扩张至20～30mm时，以4～6mm/小时的速度向上提拉，进行生长。

现有技术CN108490541B公开了一种基于氧离子注入铽镓石榴石光波导的空间光隔离器及光波导的制备方法，主要包括在TGG晶体中形成光波导和实现良好的光隔离效果。采用能量为15～17MeV，剂量为1～10×1015ions/cm2的氧离子轰击铽镓石榴石晶体表面，形成光波导结构；使用采用金刚石在光波导表面进行切割制备出两条平行的凹槽，进而形成脊型光波导结构；将垂直于脊型光波导的两个端面进行抛光，分别作为入射端面和出射端面；光从激光器发出，经过保偏光纤获得线偏振光，传输在入射光纤通过入射端面耦合进光波导，通过出射端面将光耦合进出射光纤，在通过保偏光纤射出，实现光的稳定传输，改善光隔离效果。

现有技术CN105753473B公开了一种磁光氧化铽透明陶瓷的制备方法。先将氧化铽微米粉体加入硝酸中溶解形成Tb(NO3)3，加水稀释得Tb(NO3)3溶液；再将(NH4)2SO4加入到稀释后的Tb(NO3)3溶液中得母液；然后用沉淀剂滴加到母液中搅拌，至母液的pH值为7.5～8.5；继续搅拌，静止陈化；过滤得到的沉淀物，将沉淀物冲洗、干燥、研磨过筛、煅烧；成型；真空热压烧结得到磁光氧化铽透明陶瓷。

公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

发明内容

本发明的目的在于提供一种TGG晶体生长方法及TGG晶体，其能够克服现有技术的缺点。