[发明专利]制造半导体结构的方法在审
| 申请号： | 201910683401.4 | 申请日： | 2019-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN110783261A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 许志修;杨棋铭;徐子正 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/67 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 龚诗靖 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及一种制造半导体结构的方法，其包含：将衬底从第一加载锁腔室加载到第一处理腔室中；在所述第一处理腔室中在所述衬底上方安置导电层；将所述衬底从所述第一处理腔室加载到所述第一加载锁腔室中；将所述衬底从所述第一加载锁腔室加载到封壳中，所述封壳填充有惰性气体且安置于所述第一加载锁腔室与第二加载锁腔室之间；将所述衬底从所述封壳加载到所述第二加载锁腔室中；将所述衬底从所述第二加载锁腔室加载到第二处理腔室中；在所述第二处理腔室中在所述导电层上方安置导电部件；将所述衬底从所述第二处理腔室加载到所述第二加载锁腔室中；以及将所述衬底从所述第二加载锁腔室加载到第二加载端口中。 | ||
| 搜索关键词： | 加载 锁腔 衬底 处理腔室 封壳 导电层 安置 半导体结构 导电部件 惰性气体 加载端 填充 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体结构的方法，其包括：/n将衬底加载到第一加载端口中；/n将所述衬底从所述第一加载端口加载到第一加载锁腔室中；/n将所述衬底从所述第一加载锁腔室加载到第一处理腔室中；/n在所述第一处理腔室中在所述衬底上方安置导电层；/n将所述衬底从所述第一处理腔室加载到所述第一加载锁腔室中；/n将所述衬底从所述第一加载锁腔室加载到封壳中，所述封壳填充有惰性气体且安置于所述第一加载锁腔室与第二加载锁腔室之间；/n将所述衬底从所述封壳加载到所述第二加载锁腔室中；/n将所述衬底从所述第二加载锁腔室加载到第二处理腔室中；/n在所述第二处理腔室中在所述导电层上方安置导电部件；/n将所述衬底从所述第二处理腔室加载到所述第二加载锁腔室中；以及/n将所述衬底从所述第二加载锁腔室加载到第二加载端口中。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
