[发明专利]一种适用于功率器件的氮化镓外延技术在审
| 申请号： | 201910680890.8 | 申请日： | 2019-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN110379854A | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 白欣娇;李帅;崔素杭;李婷婷;申硕;张乾 | 申请（专利权）人： | 同辉电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙) 13115 | 代理人： | 郄旭宁 |
| 地址： | 050200 河北省石家*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种适用于功率器件的氮化镓外延技术，属于半导体技术领域，外延技术的具体步骤为，利用金属有机化学气相沉积法在Si衬底上依次生长AlN成核层、AlGaN应力调控层、AlGaN高阻层、异质结外延层、GaN盖帽层以及Si3N4钝化层，AlGaN应力调控层中包括Al组分沿生长方向依次递减一组子调控层，该技术对现有的硅基氮化镓材料晶格失配问题的缓解和热失配问题的克服具有积极效果，能够大幅度改善硅衬底上制备的氮化镓外延材料的性能和后续制作GaN器件的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化镓外延 应力调控层 功率器件 金属有机化学气相沉积法 半导体技术领域 氮化镓材料 异质结外延 晶格失配 生长方向 外延技术 依次递减 成核层 调控层 钝化层 盖帽层 高阻层 硅衬底 良品率 热失配 衬底 硅基 制备 生长 缓解 制作 | ||
【主权项】：
1.一种适用于功率器件的氮化镓外延技术，其特征在于：所述的外延技术的具体步骤为，利用金属有机化学气相沉积法在Si衬底(1)上依次生长AlN成核层(2)、AlGaN应力调控层(3)、AlGaN高阻层(4)、异质结外延层(5)、GaN盖帽层(6)以及Si3N4钝化层(7)，所述的AlGaN应力调控层(3)中包括Al组分沿生长方向依次递减的一组子调控层。
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