[发明专利]一种基于全无机钙钛矿薄膜的柔性多态阻变存储器及其一步溶液法制备方法有效
| 申请号： | 201910676408.3 | 申请日： | 2019-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN110379921B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 王红军;朱媛媛;程鹏伟 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;H10B63/00 |
| 代理公司： | 西安西达专利代理有限责任公司 61202 | 代理人： | 刘华 |
| 地址： | 710021 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种一步溶液法来制备基于全无机钙钛矿薄膜的柔性多态阻变存储器，器件的结构从下到上依次为柔性衬底、下电极、阻变存储层、上电极，属于非易失性存储器领域。本发明的步骤如下：步骤1、在柔性衬底上沉积金属导电薄膜作为下电极；步骤2、采用一步溶液法沉积全无机钙钛矿薄膜作为阻变存储层；步骤3、在阻变存储层的表面沉积圆形的上金属导电薄膜作为上电极。本发明提供了一种柔性阻变存储器的制备方法，通过一步溶液法沉积出高质量的无机钙钛矿薄膜，制备的器件具有很高的稳定性；通过控制饱和电流和截至电压，阻变器件呈现出多态特性；同时制备的柔性器件具有高的抗弯曲性和优异的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 无机 钙钛矿 薄膜 柔性 多态阻变 存储器 及其 一步 溶液 法制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于全无机钙钛矿薄膜的柔性多态阻变存储器，包括上电极和下电极，其特征在于，下电极以柔性材料为衬底，上电极与下电极间设有CsPbBr3钙钛矿薄膜，上电极、下电极均采用柔性电极材料。
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